Ressource pédagogique : Fabrication de diode P/N

cours / présentation - Date de création : 19-12-2007
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Présentation de: Fabrication de diode P/N

Informations pratiques sur cette ressource

Langue du document : Français
Type pédagogique : cours / présentation
Niveau : enseignement supérieur, bac+2
Langue de l'apprenant : Français
Contenu : texte, image fixe
Public(s) cible(s) : apprenant
Document : Document HTML
Age attendu de l'utilisateur : 18+
Droits d'auteur : pas libre de droits, gratuit
Ce cours en accès libre est la propriété de l'INSA de Toulouse.

Description de la ressource pédagogique

Description (résumé)

Cours "d'Ingénierie des matériaux, composants et systèmes" de 2ème année d'électronique de l'INSA de Toulouse. Sommaire du cours : caractérisation du substrat de départ, oxydation de masquage, photogravure n°1 (ouverture pour la diffusion de la cathode), diffusion de la cathode, désoxydation des fenêtres de diffusion, métallisation, photogravure n°2 (gravure métal) enfin tests et montage

  • Granularité : cours
  • Structure : atomique

"Domaine(s)" et indice(s) Dewey

  • Semi-conducteurs - Composants : diodes, transistors et thyristors, T. à jonction, T. à effet champ (621.381 52)

Thème(s)

Intervenants, édition et diffusion

Intervenants

Validateur(s) de la métadonnée : Sylvain Duranton;Sylvain

Éditeur(s)

Diffusion

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AUTEUR(S)

  • Jeremie Grisolia;Jeremie
  • JeanPierre Ulmet;JeanPierre

ÉDITION

Institut National des Sciences Appliqués de Toulouse

EN SAVOIR PLUS

  • Identifiant de la fiche
    http://ori.unit-c.fr/uid/unit-ori-wf-1-723
  • Identifiant
    oai:www.unit.eu:unit-ori-wf-1-723
  • Schéma de la métadonnée
  • Entrepôt d'origine
    UNIT
  • Date de publication
    19-12-2007