Ressource pédagogique : Fabrication de diode P/N
Mots-clés :
cours / présentation - Date de création : 19-12-2007
Présentation de: Fabrication de diode P/N
Informations pratiques sur cette ressource
Langue du document : Français
Type pédagogique : cours / présentation
Niveau : enseignement supérieur, bac+2
Langue de l'apprenant : Français
Contenu : texte, image fixe
Public(s) cible(s) : apprenant
Document : Document HTML
Age attendu de l'utilisateur : 18+
Droits d'auteur : pas libre de droits, gratuit
Ce cours en accès libre est la propriété de l'INSA de Toulouse.
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Description de la ressource pédagogique
Description (résumé)
Cours "d'Ingénierie des matériaux, composants et systèmes" de 2ème année d'électronique de l'INSA de Toulouse. Sommaire du cours : caractérisation du substrat de départ, oxydation de masquage, photogravure n°1 (ouverture pour la diffusion de la cathode), diffusion de la cathode, désoxydation des fenêtres de diffusion, métallisation, photogravure n°2 (gravure métal) enfin tests et montage
- Granularité : cours
- Structure : atomique
"Domaine(s)" et indice(s) Dewey
- Semi-conducteurs - Composants : diodes, transistors et thyristors, T. à jonction, T. à effet champ (621.381 52)
Thème(s)
Intervenants, édition et diffusion
Intervenants
Validateur(s) de la métadonnée : Sylvain Duranton;Sylvain
Éditeur(s)
-
Institut National des Sciences Appliqués de Toulouse
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Diffusion
AUTEUR(S)
-
Jeremie Grisolia;Jeremie
-
JeanPierre Ulmet;JeanPierre
ÉDITION
Institut National des Sciences Appliqués de Toulouse
EN SAVOIR PLUS
-
Identifiant de la fiche
http://ori.unit-c.fr/uid/unit-ori-wf-1-723 -
Identifiant
oai:www.unit.eu:unit-ori-wf-1-723 -
Schéma de la métadonnée
- LOMv1.0
- LOMFRv1.0
- SupLOMFRv1.0
- Voir la fiche XML
-
Entrepôt d'origine
-
Date de publication
19-12-2007